产品名称: H45系列高动态稳定型 压电陶瓷纳米台 标准线性平移台 12~60μm

规格:

产品描述：

1、高速运动、直接驱动

2、设计小巧紧凑

3、闭环控制

4、可堆叠进行XY 运动

X 轴纳米定位线性位移台是基于压电控制的线性位移台，行程包括 12/30/45/60μm 及可定制其他行程版本。

H45 系列压电纳米位移台采用高可靠多层低压压电叠堆陶瓷作为驱动元件，利用有限元优化的固态挠性导向系统可确保完美的平移运动。平台采用了无摩擦柔性机构，压电位移台无需维护，无磨损，并具有快速响应和快速稳定的性能，使其适用于动态过程，例如高频误差补偿，跟踪，快速步进或连续扫描等。闭环版本具有高分辨率应变片式位置传感器，可实现高精度和可重复的运动，还可以补偿压电陶瓷的的蠕变。传感器采用全闭环电桥设计。它可以在开环或闭环控制中运行。

压电平台固定是通过移动面和底板上的螺纹孔实现的。若要安装到具有标准栅格的光学平台或其他组件上，请使用转接板转接。在紧固过程中，应避免过大的弯矩载荷和作用在移动面与外壳之间的侧向力，这些外力可能会损坏位移台。

选配功能：可定制转接工装、可选PZT&Sensor 连接器及线缆长度、可选配闭环(SGS)  位置反馈系、可组维、可定制其他行程。

应用领域： 扫描显微镜、光纤端面检测、干涉仪、测量技术、3D 锡膏检测、光子、光纤定位、干涉、纳米光刻、纳米定位、电化学加。

产品参数：

规格型号 1	H45-01	H45-030	H45-045	H45-060	公差 8
运动轴	X	X	X	X	-
集成传感器	SGS	SGS	SGS	SGS	-
标称行程范围 2（@0~+120V）	12 μm	30 μm	45 μm	60 μm	±5%
最大行程范围 2（@-20~+150V）	20 μm	40 μm	60 μm	80 μm	±20%
分辨率 3	0.1 nm	0.3 nm	0.4 nm	0.5 nm	typ.
最小移动步长 4	0.4 nm	1.0 nm	1.5 nm	2.0 nm	typ.
线性误差	0.02%~0.05%	0.02%~0.05%	0.02%~0.05%	0.02%~0.05%	typ.
重复定位精度（全行程）	0.05%	0.05%	0.05%	0.05%	typ.
角摆偏差（俯仰/偏摆/滚转）	10 μrad	10 μrad	10 μrad	10 μrad	typ.
承载能力 5	50 N	50 N	50 N	50 N	Max.
谐振频率（0g）	3000 Hz	2500 Hz	2000 Hz	1500 Hz	±20%
运动方向刚度	40 N/μm	40 N/μm	40 N/μm	40 N/μm	±20%
运动方向推力/拉力	450N / 100N	450N / 100N	450N / 100N	450N / 100N	±20%
驱动机构	PZT	PZT	PZT	PZT	-
工作温度范围	-20~+80 ℃	-20~+80 ℃	-20~+80 ℃	-20~+80 ℃	typ.
线缆长度 6	1.5 m	1.5 m	1.5 m	1.5 m	±10mm
中空尺寸	-	-	-	-	-
外形尺寸（长×宽×高）	45 ×45 ×15 mm	45 ×63 ×15 mm	45 ×81 ×15 mm	45 ×99 ×15 mm	-
重量 7	65 g	100 g	150 g	200 g	±5%
PZT&Sensor 连接器	LEMO	LEMO	LEMO	LEMO	-
本体材质	铝	铝	铝	铝	-

注：所有规格参数基于室温（22°C±3°C）测得，欲了解更多信息，请与我们联系。表中“-”表示为不适用。

1.尾缀“-S”为闭环，内置位置传感器。开环尾缀不带"-S，无线性误差、重复度数据。

2.最大驱动电压为-20V~+150V，对于高可靠的长期使用，建议驱动电压在0..+120V，更大行程请咨询。出厂为标称行程。

3.分辨率即定位噪声。因为压电陶瓷纳米定位系统无摩擦，所以系统分辨率仅受放大器噪声和测量技术的限制。通常使用RMS（1σ）值进行测量和指定。闭环分辨率为传感器噪声，驱动器电子噪声和命令噪声等的组合。

4.指通过干涉仪测得的压电平台可移动的最小步长值，它主要由压电控制器的DAC分辨率决定。最佳情况下，参数表中为16-Bit对应的位移步长值。

5.轴向载荷，更高的负载请咨询，注意超出标称负荷会对柔性机构造成损坏。

6.更长的线缆长度请咨询。

7.台体重量不包括线缆及连接器的重量。

8.公差中Max.表示最大值；typ.表示标准典型数据值，检测报告中会给出实际的测量数据值。

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